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極不均勻電場的擊穿電壓的特點?
2025-10-23

極不均勻電場的擊穿:極不均勻場擊穿電壓的特點:電場不均勻程度對擊穿電壓的影響減弱(由于電場已經(jīng)極不均勻),極間距離對擊穿電壓的影響增大。這個結(jié)果有很大意義,可以選擇電場極不均勻的情況,棒-板和棒-棒作為典型電極結(jié)構(gòu)(或尖-板和尖-尖電極結(jié)構(gòu)...

  • 2026-01-15

    1.電壓作用時間與升壓速率擊穿電壓通常隨施加電壓時間的延長而顯著下降,這是由于材料內(nèi)部存在電、熱及局部放電等累積效應(yīng)。升壓速度越快,測得的擊穿電壓值往往越低。2.電壓特性與頻率交流電壓對絕緣材料的考驗zui為嚴苛。隨著頻率增加,介質(zhì)損耗及熱...

  • 2026-01-15

    標準依據(jù):GB/T1408.1—2016。測試對象:摻雜不同Na+質(zhì)量分數(shù)的氧化鋁填料環(huán)氧復(fù)合材料,樣品為直徑100mm、厚度1mm的圓片。升壓速度:2,000V/s(短時電場)和100V/s(長時電場)。數(shù)據(jù)處理:結(jié)果采用威布爾分布表示,...

  • 2026-01-15

    一、測試原理現(xiàn)代體積表面電阻率測試儀摒棄了傳統(tǒng)高阻計的非線性測量方法。其核心原理在于同步精密測量與實時計算。儀器內(nèi)部的高穩(wěn)定度直流電源在待測樣品上施加一個已知的測試電壓(V),同時,其高靈敏度電流檢測模塊會同步精確測量流經(jīng)樣品的微小電流(I...

  • 2026-01-15

    一、絕緣擊穿機理的物理本質(zhì)1.氣體介質(zhì)擊穿氣體擊穿主要基于電子崩和流注理論。初始階段,在強電場作用下,少數(shù)自由電子被加速并獲得足夠動能,通過與氣體分子碰撞使其電離(湯森放電理論),產(chǎn)生新的電子-離子對,形成電子崩。當電場強度足夠高(例如空氣...

  • 2026-01-14

    介質(zhì)損耗因數(shù)測量旨在量化絕緣介質(zhì)在交流電場作用下的能量損耗特性。當介質(zhì)承受交流電壓時,其內(nèi)部會產(chǎn)生極化損耗、沿面爬電損耗及局部放電損耗等多種損耗機制,這些損耗導(dǎo)致電壓與電流之間的相位差偏離理想電容的90°相位關(guān)系。該偏離角的余角被定義為介質(zhì)...

  • 2026-01-14

    一、測量操作1.開機前:電阻檔先鎖10?Ω,電壓檔先鎖10V。2.接線后:黑鱷夾→圓環(huán)(測量端),紅鱷夾→圓柱(高壓端),必須同心、貼緊、無晃動。3.開機順序:先調(diào)零電流→再選量程→后升電壓;任何一次升壓前必須先把電阻檔歸零,否則易打表。4...

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